深紫外LED燈珠原理與特性

　　1、深紫外LED燈珠發(fā)光機理：PN結的端電壓構成一定勢壘，當加正向偏置電壓時勢壘下降，P區(qū)和N區(qū)的大都載流子向對方分散。由于電子遷移率比空穴遷移率大得多，所以會出現(xiàn)大量電子向P區(qū)分散，構成對P區(qū)少數(shù)載流子的注入。這些電子與價帶上的空穴復合，復合時得到的能量以光能的形式開釋出去。這便是PN結發(fā)光的原理。

　　深紫外LED燈珠線光源固化設備

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　　2、深紫外LED燈珠發(fā)光功率：一般稱為組件的外部量子功率，其為組件的內部量子功率與組件的取出功率的乘積。所謂組件的內部量子功率，其實便是組件自身的電光轉換功率，主要與組件自身的特性（如組件資料的能帶、缺點、雜質）、組件的壘晶組成及結構等相關。而組件的取出功率則指的是組件內部產(chǎn)生的光子，在通過組件自身的吸收、折射、反射后，實際在組件外部可測量到的光子數(shù)目。因而，關于取出功率的要素包括了組件資料自身的吸收、組件的幾何結構、組件及封裝資料的折射率差及組件結構的散射特性等。而組件的內部量子功率與組件的取出功率的乘積，便是整個組件的發(fā)光效果，也便是組件的外部量子功率。早期組件發(fā)展會集在進步其內部量子功率，主要辦法是通過進步壘晶的質量及改動壘晶的結構，使電能不易轉換成熱能，進而間接進步深紫外LED燈珠的發(fā)光功率，從而可獲得70%左右的理論內部量子功率，但是這樣的內部量子功率幾乎現(xiàn)已挨近理論上的極限。在這樣的情況下，光靠進步組件的內部量子功率是不可能進步組件的總光量的，因而進步組件的取出功率便成為重要的研究課題?，F(xiàn)在的辦法主要是：晶粒外型的改動——TIP結構，表面粗化技能。

　　3、深紫外LED燈珠電氣特性：電流控制型器材，負載特性相似PN結的UI曲線，正向導通電壓的極小改變會引起正向電流的很大改變（指數(shù)級別），反向漏電流很小，有反向擊穿電壓。在實際使用中，應挑選 。深紫外LED燈珠正向電壓隨溫度升高而變小，具有負溫度系數(shù)。深紫外LED燈珠耗費功率 ，一部分轉化為光能，這是我們需求的。剩下的就轉化為熱能，使結溫升高。散發(fā)的熱量（功率）可表示為 。

　　4、深紫外LED燈珠光學特性：深紫外LED燈珠提供的是半寬度很大的單色光，由于半導體的能隙隨溫度的上升而減小，因而它所發(fā)射的峰值波長隨溫度的上升而增長，即光譜紅移，溫度系數(shù)為+2~3A/ 。深紫外LED燈珠發(fā)光亮度L與正向電流。電流增大，發(fā)光亮度也近似增大。別的發(fā)光亮度也與環(huán)境溫度有關，環(huán)境溫度高時，復合功率下降，發(fā)光強度減小。

　　5、深紫外LED燈珠熱學特性：小電流下，LED溫升不明顯。若環(huán)境溫度較高，深紫外LED燈珠的主波長就會紅移，亮度會下降，發(fā)光均勻性、一致性變差。特別點陣、大顯示屏的溫升對LED的可靠性、穩(wěn)定性影響更為顯著。所以散熱規(guī)劃很要害。

　　6、深紫外LED燈珠壽數(shù)：深紫外LED燈珠的長時間工作會光衰引起老化，特別對大功率深紫外LED燈珠來說，光衰問題愈加嚴重。在衡量深紫外LED燈珠的壽數(shù)時，僅僅以燈的損壞來作為深紫外LED燈珠壽數(shù)的結尾是遠遠不夠的，應該以深紫外LED燈珠的光衰減百分比來規(guī)則LED的壽數(shù)，比如35%，這樣更有意義。

　　7、大功率深紫外LED燈珠封裝：主要考慮散熱和出光。散熱方面，用銅基熱襯，再連接到鋁基散熱器上，晶粒與熱襯之間以錫片焊作為連接，這種散熱方式效果較好，性價比較高。出光方面，采用芯片倒裝技能，并在底面和側面添加反射面反射出糟蹋的光能，這樣可以獲得更多的有消出光。